图表内容
图表47:全球SiC功率器件市场的预测分析
■SiC MOSFET
黄料来源:粉体圈,信达证恭研发中心
研究报告节选:
目前的电力驱动部分主要由硅(Si)基功率器件组成,但电动汽车的发展,对电力驱动的小型化和轻量化提出了更高的要求。由于材料限制,传统 Si 基功率器件在许多方面已经逼近甚至达到了其材料的本征极限,如电压阻断能力、正向导通压降等,尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。而 SIC 功率半导体器件凭借其优异性能被各大汽车产商所青睐,希望通过应用SiC 功率器件大幅实现电动汽车逆变器和 DC-DC 转换器驱动系统的小型轻量化。 SiC 功率半导体器件主要包括二极管和晶体管,其中二极管主要有结势垒肖特基(JBS)功率二极管、pin 功率二极管和混合 pin 肖特基二极管(MPS);晶体管主要有金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和门极可关断晶闸管(GTO)等。