SiC功率半导体器件

研究报告节选:

目前的电力驱动部分主要由硅（Si）基功率器件组成，但电动汽车的发展，对电力驱动的小型化和轻量化提出了更高的要求。由于材料限制，传统 Si 基功率器件在许多方面已经逼近甚至达到了其材料的本征极限，如电压阻断能力、正向导通压降等，尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。而 SIC 功率半导体器件凭借其优异性能被各大汽车产商所青睐，希望通过应用SiC 功率器件大幅实现电动汽车逆变器和 DC-DC 转换器驱动系统的小型轻量化。 SiC 功率半导体器件主要包括二极管和晶体管，其中二极管主要有结势垒肖特基（JBS）功率二极管、pin 功率二极管和混合 pin 肖特基二极管（MPS）；晶体管主要有金属氧化物半导体场效应晶体（MOSFET）、双极型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和门极可关断晶闸管（GTO）等。

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最后更新: 2023-02-09

图表内容

图表48：SiC功率半导体器件
结势垒肖特基(UBS)功率二极管
二极管
pin功率二极管
混合pin肖特基二极管(MPS)
金属氧化物半号体场效应晶体管(MOSFET)
SiC功率半导体器件
双极型品体管(BT司
结型场效应晶体管(UFET)
绝缘睡双极型品体管(GBT)
门极可关断晶间管(GTO)
资料来源：粉体圈，信达证恭研发中心