红、绿、蓝光LD国内外发展进程对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

红、绿、蓝光LD国内外发展进程对比

研究报告节选:

发展历程 早期的气体激光器,以氦-氖激光器或者氪高子激光器输出红光光源、以氩高子激光器输出绿色、蓝色光源。气体激光器体积庞大,光电转换率低,难以工业化生产。受技术的限制,激光显示发展缓慢。 上个世纪 90 年代,全固态激光器的出现推动了激光显示技术进入到了研发阶段。 进入 21 世纪后,半导体激光器性能提升,应用于激光显示具竞争力。该时期开始孕育成熟的技术产业链,三菱电气、三星、德州仪器、欧司朗、耶拿光学等都将激光显示产业化为作为目标竞相开展研发。激光显示的各个产品化方向,不论是大屏幕还是手机式投影仪都得到了全面发展。
最后更新: 2023-02-20

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全球激光器产品结构
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图表内容


图表17:红、绿、蓝光LD国内外发展进程对比
激光器
国外发展进程
国内发展进程
2006:日本索尼展示了643nm波长的高功率半导体激光
器,输出功率高达3W。其在产品验证阶段已经确认输出功
2018:山东华光制备出了连续输出功率高达4.2W的
率可提高到7W。
660nm半导体激光器。
2009:日本索尼发布发布用于彩色投影仪的638nm半导体
2020:国内山东华光光电、深圳瑞波光电、中科院半
激光器,随后功率不断突破。
导体所等开展了红光LD的研发,实现了650nm红光
2014:日本0clar0推出638nm/700mM激光二极管,为
LD的规模化生产,红光LD输出功率达1W638nm。
红光LD
2021:三安光电预计于202201实现红光D1.5W的试
2019:日本US0推出更高功率双发光点激光器,其在
量产。
25℃、连续电流2.4A下,可实现2.4W连续工作功率,而
2022:瑞波光电已量产0.5W、1W、2.5W638nm芯片
在频率120Hz、占空比30%、电流为3.3A的脉冲条件下,
以及2W665nm芯片,研发出665nm单发光,点、40um
脉冲工作功率可达3.5W
为世界上最高功率638m激光
条宽和110μm条宽结构的红光LD。
器。
1992:日本索尼研制出波长447nm的半导体蓝光激光器。
2004:中科院半导体所研制出我国第一台GaN蓝光激
1995:日本Nichia制成连续运转420nm氮化物蓝光激光
光器。
器,其使用寿命达10000小时。
2020:中科院半导体蓝光LD单管最大输出功率已达
2007:日本Nichia推出脉冲振荡输出的420nm的半导体激
2.8W(实验室),中科院苏州纳米所小功率蓝光D性
光器以及连续振荡输出达1W的蓝光半导体激光器。
能接近德国欧司朗水平。
蓝光LD
2014:德国欧司朗发布1.4W/450nm新型高功率激光二极管
2021:厦门大学康俊勇、李金钗团队与三安光电联合
以及20发光点的功率达到50W的蓝光激光器面阵,造适用于
技术攻关项目取得突破性成果,超8瓦大功率InGaN
专业级高端投影仪。
蓝光激光器设计和制作已达到国际水准,三安光电蓝
2014:日本Nichia蓝光LD单管输出功率超过4W并接连推
光LD3.5W试量产,预计于2021年Q4实现蓝光LD
出了14/20/24芯片的更高功率蓝光光源产品,功率最高可
4.0W的量产。
达125W
可满足激光电视的应用需求。
2017:日本Nichia绿光LD单管功率已实现1W输出,寿命
2020:中科院苏州纳米所绿光LD最大输出功率达
超过2万小时。
绿光LD
2018:日本Nichia推出了波长525nm、接近BT.2020超高
2021:中科院苏州纳米所实现了输出光功率可以达到
清国际电视标准的绿光LD模块,输出功率也进一步提高至
1.7W的绿光LD芯片。