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池涉及ALD技术的制备环节-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

池涉及ALD技术的制备环节

研究报告节选:

 ALD技术多用于叠层电池中间层，高精度特性助力叠层电池再攀高峰。• 特点：ALD是原子层沉积技术，其优势是三维共形性好、精度高、低温工艺。• 应用：叠层电池中间层常使用ALD技术沉积氧化锡缓冲层、致密层、电子传输层，另有实验室将ALD技术应用于透明导电层。• 优势：ALD沉积的薄膜紧凑、共形、均匀，具有高效的空穴阻挡能力；硅基电池 200 °C时 a-Si:H 层会出现不良的 H 迁移率，使用ALD
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最后更新: 2023-03-15

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天风证券 | 2023-03-15 | 43个图表

图表内容

池涉及ALD技术的制备环节
制备导电金属薄膜
硅片两侧生成氧化硅层
双面制备本征非品硅层
制备T0非金属导电层
制备掺杂多品硅层
下表面沉积心型非品硅层
制备空穴传输层
后去除
LPCVD沉积氨化硅层
上表面沉积n型非品硅层
沉积窄带隙钙钛矿
下表面制备透明导电层
制备电子传输层
电薄膜
磁控溅射NO形成隧穿结
上表面形成TO隧穿复合层
制备氧化锡致密层
钙钛矿/TOPCon
制备空穴传输层
钙钛矿/HUT
制备钙钛矿层
制备钙钛矿园
制备空穴传输层
制备电子传输层
制备电子传输层
沉积宽带隙钙钛矿
沉积缓冲层（氧化锡）
制甾电子传输层
开槽
制备氧化揭短冲层
制备透明导电层
制备透明导电层
制备透明导电层
制备双面金属电极
制备双面金属电极
制备项部金属电极

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