图表内容
钙钛矿/TOPCon
硅片两侧生成氧化硅层
制备掺杂多品硅层
ALD沉积红化铝后去除
LPCVD沉积氮化硅层
沉积透明导电薄膜
制备空穴传输层
制备钙钛矿层
制备电子传输层
沉积缓冲层（氧化锡）】
制备透明导电层
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研究报告节选:
• 透明导电层：相比于单结电池，叠层电池的透明导电层数量增多，而透明导电层的主流制备方式是磁控溅射。• 电子传输层与空穴传输层：厂商多使用蒸镀的方式制备电子传输层与空穴传输层。图：叠层电池涉及PVD技术的制备环节最后更新: 2023-03-15
相关行业研究图表
池涉及ALD技术的制备环节
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巧风/P代U气云电巴后
钙钛矿电池转化效率发展历程
钙钛矿叠层电池转化效率历程
半导体材料禁带宽度与光电转化效率关系图
钙钛矿/TOPCon
硅片两侧生成氧化硅层
制备掺杂多品硅层
ALD沉积红化铝后去除
LPCVD沉积氮化硅层
沉积透明导电薄膜
制备空穴传输层
制备钙钛矿层
制备电子传输层
沉积缓冲层（氧化锡）】
制备透明导电层
