图表内容
图表42.WLP采用RDL、TSV和Micro-bump工艺
InFO
Chip A
Chip B
RDL(重布线)
→微凸点
Substrate
→TSV(硅通孔)
资料来源：台积电官网，东亚前海证券研究所
WLP采用RDL、TSV和Micro-bump工艺
研究报告节选:
晶圆级封装（WLP）即在晶圆上进行整体封装，封装完成后再进行切割分片。同时晶圆级封装增加了 RDL、TSV 和 Micro-bump 等工艺，而在RDL 重布线金属化、凸点制作和 TSV 硅穿孔前都需采用光刻工艺进行图形化。最后更新: 2023-03-17
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图表42.WLP采用RDL、TSV和Micro-bump工艺
InFO
Chip A
Chip B
RDL(重布线)
→微凸点
Substrate
→TSV(硅通孔)
资料来源：台积电官网，东亚前海证券研究所
