半导体硅片生产流程-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

半导体硅片生产流程

研究报告节选:

④外延:在抛光片的基础上首先使用砷或氢气对其进行高温退火,降低硅片表面含氧量。然后在外延炉中通入四氯化硅和三氯硅烷并加热到 1200℃,使硅片表面沉积一层 2-20 微米厚的单晶硅层。从而降低集电极串联电阻,降低饱和压降和功耗。
最后更新: 2023-03-22

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连城数控 | 长城国瑞证券 | 2023-03-22 | 73个图表

图表内容


半导体硅片生产流程
拉晶
切片
抛光
外延
Seed Chrystal
Ingot
PW
Water-cooled chamber
Carbon heater
Spill tray
Slicing by wire saw
Structure of polishing machine
原:SUMCO

长城国瑞证券研究所