图表内容
半导体硅片生产流程
拉晶
切片
抛光
外延
Seed Chrystal
Ingot
PW
Water-cooled chamber
Carbon heater
Spill tray
Slicing by wire saw
Structure of polishing machine
原:SUMCO
长城国瑞证券研究所
研究报告节选:
④外延:在抛光片的基础上首先使用砷或氢气对其进行高温退火,降低硅片表面含氧量。然后在外延炉中通入四氯化硅和三氯硅烷并加热到 1200℃,使硅片表面沉积一层 2-20 微米厚的单晶硅层。从而降低集电极串联电阻,降低饱和压降和功耗。