不同半导体材料性能-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

不同半导体材料性能

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碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)因具有较高的禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率及抗辐射等优点,被视作第三代半导体材料。目前氮化镓(GaN)晶体生长仍有较多的技术难题尚未攻破,碳化硅因此成为最重要的第三代半导体材料。
最后更新: 2023-03-22

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连城数控 | 长城国瑞证券 | 2023-03-22 | 73个图表

图表内容


表10:不同半导体材料性能
第一代
第二代
第三代
Si
GaAs
3C-SiC
6H-SiC
4H-SiC
GaN
晶格常数
5.43
5.65
4.3596
3.19-5.19
熔点(K)
热稳定性
一般
极好
极好
极好
极好
禁带宽度(eV)
1.11
1.43
2.23
3.02
3.26
3.4
最高工作温度(K)
电子迁移率(cm2/V·S)
空穴迁移率(cm2/V·S)
饱和电子速率(107cm/s)
2.2
临界击穿电场(105V/cm)
0.3
0.6
3.2
介电常数
11.8
12.5
9.7
9.6
热导率(W/cm·K)
1.5
0.46
4.9
4.9
4.9
1.3
资料来源:《氨、钒掺杂PVT法合成碳化硅晶体的表征研究》,长城国瑞证券研究所