图表内容
表10:不同半导体材料性能
第一代
第二代
第三代
Si
GaAs
3C-SiC
6H-SiC
4H-SiC
GaN
晶格常数
5.43
5.65
4.3596
3.19-5.19
熔点(K)
热稳定性
一般
极好
极好
极好
极好
禁带宽度(eV)
1.11
1.43
2.23
3.02
3.26
3.4
最高工作温度(K)
电子迁移率(cm2/V·S)
空穴迁移率(cm2/V·S)
饱和电子速率(107cm/s)
2.2
临界击穿电场(105V/cm)
0.3
0.6
3.2
介电常数
11.8
12.5
9.7
9.6
热导率(W/cm·K)
1.5
0.46
4.9
4.9
4.9
1.3
资料来源:《氨、钒掺杂PVT法合成碳化硅晶体的表征研究》,长城国瑞证券研究所