SiC物理特性-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

SiC物理特性

研究报告节选:

平台高压化对功率器件的耐压、损耗、抗热有较高要求,加速 SiC 电控应用。若电气架构升至 800V 平台,考虑开关电压过载,功率半导体耐压需达 1200V。高电压条件下,硅基 IGBT 开关/导通损耗剧升,使得能效下降、成本上升。而 SiC 在
最后更新: 2023-03-24

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比亚迪 | 财通证券 | 2023-03-24 | 77个图表

图表内容


2.SiC物理特性
生常数比较
SI-MOSFET
0.3
2.8w
减少传导损耗
高耐压
厚度可降至
低导通电阻
来源:罗姆官网,财通证券研究所