图表内容
图40：HBM设计结构
HBM DRAM Die
Microbump
HBM DRAM Die
HBM DRAM Die
HBM DRAM Die
Logic Die
PHY
PHY
GPU/CPU/Soc Die
Interposer
Package Substrate
HBM设计结构
研究报告节选:
HBM 的高带宽技术，从硬件上实现高速传输。高带宽存储器（HBM）可支持更高速率的带宽，基于 TSV 和芯片堆叠 技术的堆叠 DRAM 架构，可实现高于 256GBps 的突破性带宽，单颗粒的带宽远超过 DDR4 和 GDDR6。其中 DDR4 是 CPU 和硬件处理单元的常用外挂存储设备，8 颗 DDR4 颗粒带宽能够达到 25.6 GB/s，是 HBM 的 1/10，而 GDDR6 它单颗粒的带宽只有 64 GB/s，为 HBM 的 1/4。最后更新: 2023-03-28
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