NAND F1ash分类-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

NAND F1ash分类

研究报告节选:

资料来源:Simms、浙商证券研究所NAND Flash 技术提升路径主要为可存储数位量和堆叠层数提高。主要存储原厂在激烈竞争中不断提升 NAND Flash 存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升 3D NAND Flash 的堆叠层数。从 SLC 到 QLC,存储单位数据从 1 位上升至 4 位,存储密度梯度提升。传统 NAND Flash 为平面闪存(2D请务必阅读正文之后的免责条款部分
最后更新: 2023-04-10

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东芯股份 | 浙商证券 | 2023-04-06 | 32个图表

图表内容


图15:NAND F1ash分类
SLC
3D TLC
PSLC
MLC
TLC
Rellability
Medum
Speed
Fastest
Fast
Price
EEEE
P/E Cycles/Endurance
Warranty
2-5 years
2 years
-40C to 85C
Controlled BOM
Typical NAND
Production cycle
1-2 years
3 years
3 years
6-12 Months
资料来源:
Simms、
浙商证券研究所