图表内容
表2：公司自主研发技术情况
产品类别
技术名称
技术作用
局部自电位升压操作方法
有效降低在编写操作时的干扰，提高产品可靠性
步进式、多次式编写/擦除操作方法
可有效控制闲值电压分布，提高产品可靠性
内置8比特ECC技术
通过先进CC技术，提高产品可靠性
NAND Flash
针对提高测试效率的芯片设计方法
通过复用引脚和并行测试等方法实现同时测试超1
000颗裸片
内置高速SPI接口技术
通过闪存工艺，实现SPI接口的集成
缩减布局区域的闪存装置
通过共用有源区的方法，缩减芯片面积
提高擦除可靠性技术
通过优化擦除操作算法，提高产品可靠性
NOR Flash
数据自动刷新技术
通过优化刷新操作算法，提高产品可靠性
DRAM
DRAM单元2D/3D制造方法
通过优化DRAM单元布局，减少DRAM单元面积
