图表内容
图28：不同存储芯片的主要差别
非易失性
易失性
比较项目
NAND Flash
NOR Flash
DRAM
存储原理
浮栅型
浮栅型/电子俘获型
电容充放电型
读取速度
较慢
较快
极快
擦除"写入速度
较慢
极快
存储容量
高(Gb/Tb)
中(Mb/Gb)
中(Mb/Gb)
擦写次数
十万级别
十万级别
资料来源：公司招股书，浙商证泰研究所
不同存储芯片的主要差别
研究报告节选:
公司是国内少有的具备多种存储芯片技术储备的企业。NAND、NOR、DRAM 的差异主要体现在技术原理、功能定位等方面。NAND /NOR 主要用于存储数据或代码， DRAM则负责对 CPU 运算过程中产生的临时数据进行存储和调用，一般需要搭配 NAND/NOR。从功能定位上来看，相同类别的存储芯片具备通用性，对产品配套要求较低。因此，下游一般从成本和性能考虑综合选择不同的芯片，较为全面的横向布局能够帮助公司获取更多市场。最后更新: 2023-04-10
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NAND F1ash分类
DRAM Technology Leadership
图28：不同存储芯片的主要差别
非易失性
易失性
比较项目
NAND Flash
NOR Flash
DRAM
存储原理
浮栅型
浮栅型/电子俘获型
电容充放电型
读取速度
较慢
较快
极快
擦除"写入速度
较慢
极快
存储容量
高(Gb/Tb)
中(Mb/Gb)
中(Mb/Gb)
擦写次数
十万级别
十万级别
资料来源：公司招股书，浙商证泰研究所
