图表内容
图表38:2013-2023年单个3 D NAND闪存题粒容量
·一层数◆一容量GB
238层QLC
232层QLC
176层QLC
128层TLC
96层TLC
96层TLC
64层TLC
48层TLC
32层TL0
24层MLC
20212022E2023E
来源:ChinaFlashMarket
TrendForce
前瞻产业研究院,国金证券研究所
研究报告节选:
来源:三星,China Flash Market,国金证券研究所 大容量、高堆叠层数的 3D NAND 将是行业未来发展趋势。平面 NAND 由有存储单元的水平串组成,而在 3D NAND 中,存储单元串被拉伸,折叠并以 U 形结构垂直竖立,单元以垂直方式堆叠来缩放密度。3D NAND 存储单元类似一个微小的圆柱状结构,微小单元由中间的垂直通道组成,中间是结构内部的电荷层,通过施加电压,电子被带入绝缘电荷存储膜中和从中取出,信号就被读取。以三星为例,由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存(2D CTF),将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元,最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数。未来大容量、高堆叠层数的 3D NAND将是行业未来发展趋势。