图表内容
图11：公司已掌握集成电路领域多项核心技术
核心技术名称
技术来源
创新类别
应用设备
新型高密度/低损伤等离子体源技术
自主研发
原始创新
等离子刻蚀设备
脉冲射频控制技术
自主研发
原始创新
等离子刻蚀设备
溅射源设计技术
自主研发
原始创新
PVD设备
等离子产生与控制技术
自主研发
原始创新
PVD设备
颗粒控制技术
自主研发
原始创新
PVD设备
腔室设计与仿真模拟技术
自主研发
原始创新
PVD设备
数据来源：公司公告，东吴证券研究所
公司已掌握集成电路领域多项核心技术
研究报告节选:
高强度研发投入下，公司已掌握多项集成电路核心技术。截至 2022 年底，公司累计申请专利 6,800 余件，已获授权 3,900 余件。公司在光伏、LED、MEMS、功率器件等工艺设备及真空设备领域均处于国际先进水平，等离子刻蚀设备已突破新型高密度/低损伤等离子体源技术和脉冲射频控制技术，PVD 设备已突破溅射源设计技术、等离子产生与控制技术、颗粒控制技术等多项关键技术，技术水平处于行业领先地位。最后更新: 2023-05-26
相关行业研究图表
2018年以来公司扣非销售净利率快速提升
2022年公司前五大客户收入占比下降至25.67%
干法刻蚀主要分为ICP和CCP两种技术路线
可比公司估值（裁至2023/05/25收盘股价)
公司实际控制人为拥有国资背景的北京电子控股
薄膜沉积设备主要分为CVD、PVD和ALD三大类
图11：公司已掌握集成电路领域多项核心技术
核心技术名称
技术来源
创新类别
应用设备
新型高密度/低损伤等离子体源技术
自主研发
原始创新
等离子刻蚀设备
脉冲射频控制技术
自主研发
原始创新
等离子刻蚀设备
溅射源设计技术
自主研发
原始创新
PVD设备
等离子产生与控制技术
自主研发
原始创新
PVD设备
颗粒控制技术
自主研发
原始创新
PVD设备
腔室设计与仿真模拟技术
自主研发
原始创新
PVD设备
数据来源：公司公告，东吴证券研究所
