图表内容
图24：本土半导体设备企业在多个环节先进制程领域产业化进展加速
公司
设备类型
先进制程进展
1)SiN、SiON.TEOS
ACHM等工艺：逻辑14m产业化验证中；存储128L3 D NAND、19/17 m DRAM产业化验证中；
PECVD
2)SiO2工艺：逻辑14nm及10nm以下产业化验证中；
3)Thiek TEOS工艺：存储DRAM19/17nm产业化验证中；
4)NO stack工艺：存储3 D NAND128L产业化验证中
拓荆科技
SACVD
BPSG工艺刻蚀调节层：DRAM19/17m产业化验证中
1)SiO2、SiN等介质材料薄膜：逻辑28-14 m SADP、STI Liner.工艺已实现产业化应用；存传128L以上3 D NAND、
ALD
19/17 nm DRAM产业化验证中；
2)Al
O
、ALN等金属化合物薄膜：适辑28nm以下制程研发中
1)逻辑：在5m及更先进产线实现多次批量销售；28m及以下一体化大马士苹刻蚀设备已通过初步验证，即将进入市场
CCP刻蚀设备
2)3 D NAND:可在64L
128L及更高层数实现量产，60：1极高深宽比刻蚀设备已完成开发进入产线脸证
ICP刻蚀设备
已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。正在进行下一代产品的技术研发，以满足5m以下的逻辑芯片、
中微公司
IXm的DRAM芯片和2OOL以上的3 D NAND芯片等产品的刻蚀需求
薄膜沉积设备
满足先进逻辑器件接触孔填充应用，以及64L、128L3 D NAND中的多个关键应用。首台CVD钨设备已付运至关键存储客
户端验证评估，新型号高深宽比CVD钨和ALD钨设备已开始实验室测试并对接关键客户验证
EPI(外延设备)
面向28m及以下的逻辑器件、存储器件和功率器件等的广泛应用。公司正在开放拥有自主知识产权的外延设备，以满足
客户先进制程中错硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。目前该设备研发进展顺利，已进入样机的制造和调试阶段
华海清科
CMP设备
1)逻辑：在28-14nm产线已实现量产，14nm制造设备正处于开发阶段
2)存储：在128L及以上3 D NAND产线已实现量产，在1XW1 Y DRAM芯片制造产线已实现量产
芯源微
涂胶显影设各
新型前道设备可通过选装全面覆盖L山ine、KF、ArFdry、ArF浸没式等多种光刻技术，实现了在28nm及以上工艺节点的全
覆盖，已通过客户端验证达到量产要求
1)膜厚量测设备：可应用于28 m FEOL以及I4 m BEOL
已取得一线客户批量订单
精测电子
量/检测设备
2)OCD:满足28m制程需求，已通过多家客户验证并成功交付，可测量FinFET、NAND等多种样品；
3)电子束块陷复查设备(R©view SEM)：可应用于1Xnm产线，已取得一线客户批量订单
至纯科技
清洗设备
湿法设备已满足28m全部工艺要求且均获得订单，14nm及以下湿法设备也有4台设备交付
数据来源：各公司公告，
东吴证券研究所
