图表内容
刻蚀工艺将光刻后的图形从光刻胶转移到待刻蚀的薄膜上
薄膜沉积:长一层待刻蚀测
光刻:把图形从光罩复刻到
匀胶:涂抹光刻胶
光刻胶
氧化层
显影:去掉经曝光的光刻胶
刻蚀:挖掉缕空的薄膜
去胶:去掉剩余光刻胶
氧化层
来源:中微公司招股说明书,东吴证养研究所
研究报告节选:
进而形成光刻定义的电路图形。根据工作机理不同,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类,其中干法刻蚀应用占比高达 90%。1)湿法刻蚀:早期主流刻蚀工艺,各向异性较差,无法满足精细布线要求。通常用于 3μm 以上图形转移,以及干法刻蚀后清洗残留物等场景。2)干法刻蚀:以等离子体刻蚀为主,主要利用等离子体产生的高化学活性粒子轰击薄膜表面,产生挥发性气体,从而形成各类微观结构。