图表内容
表1：干法刻蚀主要分为ICP和CCP两种技术路线
刻蚀系统
原理
适用工艺
导线里电流
电容性等离子
以高能离子在较硬的介
逻辑IC前段工艺中的栅侧
体刻蚀系统
质材料上，刻蚀高深宽
墙、硬掩膜刻蚀和封装环节
(CCP)
低類交流
比的深孔、深沟等微观
等离子体里电流
中的接触孔、铝垫刻蚀、
功率发生器
(占比39%)
结构
NAND中的深斜孔槽
功率发生器
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