光伏碳化硅功率器件渗透率(%)

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资料来源：公司官网，国投证券研究中心  横向：近年，公司逐步向半导体硅材料、碳化硅和蓝宝石的生长加工设备领域拓展，不断扩大业务范围。碳化硅是第三代功率半导体的代表材料，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。未来随着碳化硅器件在新能源汽车、能源、工业、通讯等领域渗透率提升，碳化硅器件市场规模有望持续扩大，其中新能源车和光伏为重要领域。新能源汽车：SiC 器件主要应用在PCU（动力控制单元，如车载 DC/DC）和 OBC（充电单元），相比于 Si 器件，SiC 器件可减轻PCU 设备的重量和体积，降低开关损耗，提高器件的工作温度和系统效率；OBC 充电时，SiC器件可以提高单元功率等级，简化电路结构，提高功率密度，提高充电速度。光伏发电领域：SiC 材料具有更低的导通电阻、栅极电荷和反向恢复电荷特性，使用 SiC-Mosfet 或SiC-Mosfet 与 SiC-SBD 结合的光伏逆变器，可将转换效率从 96%提升至 99%+，能量损耗降低 50%+，设备循环寿命提升 50 倍。对于光伏领域来说，光伏第三代半导体功率器件市场前景广阔。光伏电站直流端电压等级逐渐从 1000V 提升至 1500V，未来有望再提升至 2000V。大电压环境下碳化硅功率器件的性能优势凸显。伴随光伏逆变器出货量的快速增长以及碳化硅功率器件渗透率的提升，光伏碳化硅功率器件市场将迅速成长。根据 CASA 数据，2021 年中国光伏领域第三代功率半导体的渗透率超过 13%，市场规模约 4.78 亿元，同比增长 56%，预计 2026 年光伏用第三代半导体市场空间将接近 20 亿元，五年 CAGR 超过 30%。

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最后更新: 2024-04-17