图表内容
图37：不同堆叠层刻蚀工艺设备用量（相对值）
■32L
■64L
■128L
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
CMOS
沟道孔洞
台阶
狭缝
接触孔
清理
效料来源：3 D NAND存储芯片刺蚀设备选型和载量配置研究（程星华等）D
不同堆叠层刻蚀工艺设备用量（相对值）
研究报告节选:
在图形转移或者复制的精度依靠几个工艺参数：不完全刻蚀、过刻蚀、刻蚀速率、钻蚀、选择比、均匀性、纵横比及侧边的各项异性/各项同性刻蚀。不完全刻蚀：不完全刻蚀是指表面层还留在图形孔中或表面上的情况，原因可能是第一刻蚀时间过短，第二需要刻蚀的薄膜厚度不均匀等。过刻蚀：在任何的刻蚀工艺中，总会有一定程度的、计划的过刻蚀，以便允许表层厚度变化，再或者是为了下一步工艺的要求等等。刻蚀速率：指刻蚀薄膜一分钟希望达到的刻蚀深度。钻蚀：从最外的表面开始到底部的过程中刻蚀同样也会在最外表面进行，结果会在侧面形成一个斜面，当这种作用在光刻胶边缘下被刻蚀，可称为钻蚀。选择比：是指在同一刻蚀条件下两种不最后更新: 2025-02-24
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图37：不同堆叠层刻蚀工艺设备用量（相对值）
■32L
■64L
■128L
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
CMOS
沟道孔洞
台阶
狭缝
接触孔
清理
效料来源：3 D NAND存储芯片刺蚀设备选型和载量配置研究（程星华等）D
