图表内容
表8：中欣晶圆掌握了多项关键性生产技术，并均已实现规模化生产
技术
技术应用情
技术名称
技术特色
来源
8英寸和12英
掌握半导体单晶硅晶体生长缺陷形成机理及控制方法，了解半导体单晶硅的块陷形成机理
自主
应用于晶体
及铁、氧、碳关键杂质引进因素，采用热场模拟的方法研究最优单晶拉制条件和热场条件，
COP-Free晶体
研发
生长方面
制定高品质8英寸和12英寸半导体轻掺硼单晶硅棒产业化生产工艺。
生长技术
通过叠加横向磁场、增大热场的纵向温度梯度以及改变热场设计，对晶体生长实施控制。
超低阻重掺砷、
通过调整单晶拉制过程的关健参数、以及改进种、锑掺杂的方式与浓度、优化现有的热场自主应用于晶体
锑晶体生长技
结构，克服重掺砷、锑在晶体生长过程中面临的掺杂剂严重挥发、组分过冷以及生长界面研发
生长方面
翻转困难等因素给晶体生长带来的严重阻碍。
通过对掺杂量及工艺进行开发优化，成功实现了电阻率低于0.001Q.cm的单晶拉制。通过
超低阻重掺磷对拉晶工艺条件及设备进行改造优化，实现了无位错重掺磷直拉硅单晶的生长，获得了无自主应用于晶体
晶体生长技术位错的极低阻单晶。重掺磷会导致硅单晶的微缺陷难以检测和控制，进而难以保证晶体质研发：
生长方面
量。通过技术改进，能够有效控制重掺磷硅单晶的微缺陷，实现高质量晶体的制备。
通过融合单晶炉热系统优化设计、生长缺陷控制和杂质控制等多项技术，构建了一套完整
的重掺硼单晶制备技术体系。在单晶生长环节，运用红外监测随动系统并叠加横向超导磁
场，以平衡边缘与中心的溶质分布，降低电阻率波动。在缺陷控制方面，通过优化单晶炉
低金属低缺陷热系毓结构，设计并加入新型水冷套，有效减少氧化诱生层错等缺陷，降低晶棒尾部因硼
自主应用于晶体
