【行业研究报告】新洁能-拟定增建设SiC产业化项目，推进产品结构升级

拟定增建设SiC产业化项目，推进产品
结构升级
结构升级
■事件：11月11日公司发布公告，拟募集资金总额不超过145,000.00
万元（含145,000.00万元），拟投入募集资金20,000万元投入第三代半
导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，60,000万元投入
功率驱动IC及智能功率模块（IPM）的研发及产业化项目，50,000
万元投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及
产业化项目。
■新能源汽车、光伏发电发展迅速，打开第三代半导体功率器件需求：
新能源车销量持续超预期使得SiCMOSFET有望成为最畅销的功率
器件，在光伏发电应用中，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET
与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提
升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。
射频领域，据Yole报告，全球氮化镓射频器件市场规模有望在2025
年达到20亿美元，在高频率、高功率应用场景下，氮化镓射频器件
预计持续替代硅基LDMOS。《2020“新基建”风口下第三代半导体应
用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模
为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022
年市场规模将达到623.42亿元。受益新能源汽车、充电桩、光伏逆变、
5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业的发展，
SiC/GaN产品规模有望持续扩张。
■定增项目有望增强公司竞争力，推进产品结构升级：公司为国内领
先的半导体功率器件设计企业之一，本次拟募集资金总额不超过
145,000.00万元（含145,000.00万元），拟投入募集资金20,000万元投
入第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，建
设周期24个月，内部收益率（税后）为18.96%，投资回收期（税后，
含建设期）为6.32年；60,000万元投入功率驱动IC及智能功率模块
（IPM）的研发及产业化项目，建设周期36个月，内部收益率（税后）
为18.08%，投资回收期（税后，含建设期）为6.41年；50,000万元
投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业
化项目，建设周期36个月，内部收益率（税后）为14.38%，投资回
收期（税后，含建设期）为7.85年。
■拟执行股票激励计划，增强员工激励力度：公司11月11日发布《2021
年限制性股票激励计划（草案）》，拟向激励对象授予的限制性股票数
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