【行业研究报告】电子设备-电子行业深度报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起

⚫碳化硅（SiC）性能优异，成本有望持续下降。SiC半导体性能优异，其禁带宽度是
硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电子饱和漂移速率是硅
的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作
的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作
高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。6英寸SiC衬底已成主流，8英寸样品
也陆续开始推出。未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶
平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持
续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。
⚫海外头部厂商占据产业链主要份额，国内企业迎来广阔发展空间。SiC衬底及外延
片领域，Wolfspeed凭借先发优势和规模优势一家独大；器件领域，欧美日企业领
先，整体市占率达到95%，仅意法半导体一家就占据41%。国内企业也在积极研发
和探索SiC器件的产业化，部分产业节点已有所突破。其中三安光电已形成在半导
体化合物高端领域的全产业链布局；天岳先进在半绝缘SiC衬底的市场占有率连续
三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制6英寸SiC衬底，并已实现2-6
英寸SiC晶片的规模化生产和器件销售。
⚫新能源车、光伏等下游需求爆发，SiC迎来历史性机遇。Yole数据显示，全球SiC
器件市场发展迅猛，预计2025年SiC器件市场将增长至25.6亿美元，19-25年
CAGR约30%。新能源车领域：根据EVTank数据显示，新能源汽车2025年销量
将达到1800万辆，19-25年CAGR为42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及
整车架构朝800V高压方向迈进，SiC器件在主逆变器、DC／DC转换系统、车载充
电系统及充电桩等领域有望迎来规模化发展。据TrendForce数据显示，预估2025
年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片，21-25年CAGR为94%。
光伏领域：相比于硅基IGBT，SiCMOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、
无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利
于提高光伏逆变器使用寿命。2020年SiC光伏逆变器占比为10%，预计2035年占
比将达到75%，未来空间十分广阔。轨道交通领域：与传统硅基IGBT牵引逆变器
相比，全SiC牵引逆变器能耗能够降低10%以上。Yole数据显示，到2025年铁路
SiC营收将从2019年的900万美元，增长到1.18亿美元，CAGR达到55%。
⚫由于下游需求旺盛，我们看好SiC产业链相关企业将因此受益。建议关注国内领先