【行业研究报告】电子设备-电子行业深度研究报告：AI浪潮汹涌，HBM全产业链迸发向上

AI需求爆发驱动HBM快速增长，三大存储原厂引领市场。HBM即高带宽存
储器，是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，具有高内存带宽、低能
耗、更多I/O数量、更小尺寸等优势。自2013年海力士首次制造问世以来，
HBM已迭代至第五代HBM3E，该代际产品最大容量为36GB，每引脚最大数
HBM已迭代至第五代HBM3E，该代际产品最大容量为36GB，每引脚最大数
据速率为9.2Gbps，最大带宽超过每秒1.18TB。ChatGPT爆火AI大模型迎来
快速发展，引爆算力需求，HBM助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最
优解决方案。为应对NVIDIA和大型CSP厂商对高带宽存储订单的不断增加，
各大存储供应商持续扩大HBM产量，有望推动HBM市场规模在2024年
达到169亿美元，同比增长288%，占DRAM产业产值比重或提升至20.1%，
同比提升11.7pct。SK海力士独占HBM市场半壁江山，三星有望逐步缩小差
距。根据TrendForce数据，2022年三大原厂HBM份额分别为SK海力士占比
50%，三星占比约40%，美光（Micron）占比约10%。
设备端：TSV提升前道工艺及设备需求，混合键合对先进封装提出了更高的
要求。TSV是HBM核心工艺，成本占比近30%。TSV属于前道工艺，用于生
产HBM的DRAM颗粒需要在制造过程中预留TSV打孔的位置，属于定制颗
粒，其中最关键的中通孔（ViaMiddle）的制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光
等前道工艺，提振相关设备需求。互联距离/互联密度/导热效率优势加持，混
合键合或为未来HBM主流堆叠键合技术。混合键合设备的平均售价将显著高
于目前最先进的Flipchip（倒装芯片）或TCB键合系统。随着HBM需求持续
抬升，存储领域将会贡献明显增量，中性假设下全球2030年混合键合设备保
有量有望达到1400台左右。混合键合对表面光滑度、清洁度和粘合对准精度
要求更为严格，生产必须在标准接近前端晶圆厂级别的超洁净室、自动化工厂
和工艺专业知识要求的环境中进行，对先进封装和测试的工艺及设备提出了更
高的要求，键合设备、刻蚀机、电镀机、沉积设备、量测和测试设备等有望受
益。建议关注拓荆科技、华海清科、中微公司、北方华创、芯源微、中科飞测、
赛腾股份、精智达。
材料端：TSV、MR-MUF带动EMC材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量
需求。MR-MUF和EMC塑封料是SK海力士实现HBM3技术升级的关键工
艺及材料，MR-MUF相比目前主流堆叠工艺TC-NCF具有散热好等优势，SK
海力士2016年首次在HBM2E上采用，随着后续堆叠层数变高减薄散热要求
进一步提高，EMC材料有望迎来进一步发展。TSV制备涉及刻蚀、沉积、电
镀、抛光等工艺，电镀液抛光材料等需求提升。此外HBM由多层堆叠而成，
制造端前驱体、光刻胶等用量需求提升，封装端需用underfill填充保护，底填
胶、载板亦有望受益。建议关注雅克科技、华海诚科、德邦科技、沃格光电、
上海新阳。
HBM需求高增有望拉动先进封测需求，建议关注通富微电、长电科技、深科
技。经销商环节亦有望受益，建议关注香农芯创。
风险提示：产能扩张进度不及预期风险，产品迭代不及预期，行业竞争加剧。
行业基本数据