24Q1业绩扭亏为盈,产能切换叠加需求复苏推
升利基存储回暖
投资要点
据CFM5月22日消息,存储原厂积极进行产能切换以满足部分互联网厂商的HBM
和DDR5急单需求,DDR4供应或陷入短缺。
产能转向HBM/DDR5高附加值产品,利基DRAM价格有望温和上涨
据CFM5月22日消息,24Q2以来部分国内互联网厂商向原厂紧急加单HBM和
DDR5产品,同时由于HBM产线已切换成HBM3/3E先进制程,针对客户HBM2E
DDR5产品,同时由于HBM产线已切换成HBM3/3E先进制程,针对客户HBM2E
的急单需求,部分原厂只能紧急加开产线并将部分DDR4产线切换成HBM2E;预
计至2024年底,原厂约80%DRAM产能切换至DDR5,DDR4供应或陷入短缺。
2023年公司存储芯片实现收入40.77亿元,同比减少15.51%;毛利率32.99%,
同比减少7.10个百分点。根据2024年4月投资者调研纪要,公司表示NOR供需
关系已回归平衡,未来利基DRAM/SLCNAND价格有望温和上涨。1)DRAM:
2024年公司采购DRAM代工金额约8.52亿元,同比增长约135.36%。公司表示
2024年DDR34Gb/2Gb将实现批量出货;DDR48Gb产品现已实现流片,预计
24H2给客户送样;LPDDR4在研。公司预计2025年DRAM产品覆盖主要利基市
场需求并实现量产供应。2)NOR:2023年出货量创新高,同比增长16.15%达25.33
亿颗,且在传统淡季的第四季度亦保持较好的出货量和经营水平。目前55nm工艺
节点全系列产品均已量产。车规级SPINOR产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐,且
在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中实现稳定运行。3)NAND:2023
年出货量同比大幅增长。38nm和24nm两种制程全面量产,容量覆盖1Gb~8Gb。
产品价格下滑致2023年业绩承压,24Q1需求回暖公司业绩实现触底反弹
由于终端市场需求疲弱且行业竞争激烈,产品价格下降明显,2023年公司业绩承
压。2023年公司实现营收57.61亿元,同比减少29.14%;归母净利润1.61亿元,
同比减少92.15%;扣非归母净利润2740.06万元,同比减少98.57%;毛利率
34.42%;出货量同比增长12.98%达31.22亿颗。
得益于消费市场需求回暖,存储芯片出货量增加,24Q1公司业绩实现触底反弹。
24Q1公司实现营收16.27亿元,同比增长21.32%,环比增长19.10%;归母净利
润2.05亿元,同比增长36.45%,环比扭亏为盈;扣非归母净利润1.84亿元,同
比增长41.26%,环比扭亏为盈;毛利率38.16%,同比基本持平,环比提升3.62
个百分点。
公司推出2024年股票期权激励计划。激励对象共计45人。行权价格为59.18元/
股。考核目标为2024-2027年营收分别不低于72.94/86.20/98.00/118.00亿元。
MCU百货商店持续壮大,传感器产品市占率稳步提升
MCU:2023年MCU实现收入13.17亿元,同比减少53.46%;毛利率43.10%,
电子|集成电路Ⅲ