【行业研究报告】电子设备-利基型存储深度报告：供需拐点已至，国产厂商百花齐放

利基型存储深度报告
供需拐点已至，国产厂商百花齐放
供需拐点已至，国产厂商百花齐放
2024年11月23日
➢利基型存储：专注特定应用需求场景。利基型存储指相对于主流存储产品占
据较小市场份额的存储产品，主要包括利基型DRAM、SLCNAND和NORFlash
等。产品属性上，利基型DRAM在制程和容量上落后主流存储若干代际，适用
于较小容量存储场景。
从终端用途上看，利基型DRAM通常用于消费电子、通信、物联网、工控、车
规等市场，产品生命周期较标准型更长；SLCNAND存储密度最小，但使用寿
命更长，终端应用多为可靠性要求高的领域，如工业自动化设备、通信基站等；
NORFlash则能够在芯片内直接运行小型程序，响应速度快，性能比NAND更
稳定，且小容量下更具成本优势。
➢供需好转，利基型存储涨价拐点向上。存储芯片标准化程度高，可替代性强，
具备大宗商品属性，其价格对供需敏感，价格呈强周期性。自23H2以来，受益
于存储大厂收缩供给、数据中心等下游需求持续旺盛，NAND和DRAM价格逐
渐回升。而利基型存储价格仍在底部，涨幅不及标准型。未来海外大厂持续退出
利基市场+消费市场复苏有望成为利基存储的回升动力。
➢解读三大主要利基型产品的市场空间和成长路径。利基型存储有广阔市场空
间，2024年全球利基型DRAM/SLCNAND/NORFlash市场规模预计分别为
95.7亿美元/23亿美元/26.9亿美元。各类型的供需格局如下：
1）利基型DRAM：利基型产品占DRAM份额稳定10%，制程升级、产品差异
化是厂商竞争核心。国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等布局了利基型
DRAM产品，供需两侧均有积极变化：DDR5和HBM需求挤占产能，海力士、
三星相继宣布退出DDR3，而AI终端有望带来利基型DRAM容量升级。
2）SLCNAND：网通等传统应用中设备升级换代SLC增长逻辑，大容量下SLC
比NOR更具成本优势。供给端，国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙
等，海外龙头三星在逐步退出SLC市场。
3）NORFlash：行业龙头多为台系厂商，本土厂商兆易创新2023年市占率跃
居全球第二，此外普冉、恒烁、聚辰亦快速成长。制程迭代、容量升级为NOR
的主要发展路径，车规NOR是国产厂商主要发力的增量市场。
➢投资建议：受益于高端存储供应紧张，原厂转移产能，利基型存储供需改善；
叠加下游需求稳定增长，建议关注：兆易创新（NORFlash/DRAM/SLCNAND）、
东芯股份（SLCNAND/DRAM/NORFlash）、北京君正（DRAM/SLC
NAND/NORFlash）、普冉股份（NORFlash）、恒烁股份（NORFlash）。
➢风险提示：终端需求增长不及预期风险；存储行业供给超预期增长风险；行
业竞争加剧风险
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