【行业研究报告】电子设备-电子行业周报：2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观，台积电加码2/3nm先进制程

◼核心观点
市场行情回顾
过去一周（05.12-05.16），SW电子指数下跌0.75%，板块整体跑输沪
深300指数1.86个百分点，从六大子板块来看，消费电子、光学光电
子、元件、其他电子Ⅱ、半导体、电子化学品Ⅱ涨跌幅分别为
子、元件、其他电子Ⅱ、半导体、电子化学品Ⅱ涨跌幅分别为
1.12%、0.26%、0.19%、-1.49%、-1.69%、-1.79%。
核心观点
SiC衬底市场2024年营收年减9%，但长期需求乐观。5月12日，根
据TrendForce集邦咨询最新研究显示，受2024年汽车和工业需求走
弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时市场竞争加剧、产品价格大幅
下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC衬底产业营收年减
9%，为10.4亿美元。从主要厂商的市占情况来看，Wolfspeed仍维持
第一名，2024年市占率达33.7%。尽管近年面临较大的运营挑战，
Wolfspeed仍是SiC材料市场最重要的供应商，并引领产业向8英寸
衬底转型。中国厂天科合达和天岳先进近年发展迅速，2024年二者市
占率相差无几，分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。从衬底尺寸
观察，由于现行主流的6英寸SiC衬底价格快速下降，以及8英寸SiC
前段制程的技术难度较高，加上市场环境剧烈变化，预计6英寸衬底
将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC
成本的必然选择，且有助SiC芯片技术升级，吸引各大厂商积极投
入。在此情况下，TrendForce集邦咨询预估8英寸SiC衬底的出货份
额将于2030年突破20%。
关税引致新一轮备货潮，三星或将调涨DRAM芯片价格。5月13日，
据韩国媒体ETNews报道，受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带
动，三星电子因客户需求高涨，决定顺势调涨DRAM芯片的价格。报
道称，三星已经在跟客户签订的新合约中大幅调涨DDR5、DDR4
DRAM报价。其中，DDR4的涨价幅度为20%、DDR5则涨价5%，但
会因客户不同而略有差异。2024年DRAM产业供给过剩，导致DRAM
均价普遍下跌。根据部分机构统计，2024年下半年DRAM均价大跌约
21%。但是随着消费电子市场需求的逐渐回暖，以及AI对于DRAM需
求的持续增长，推动了DRAM价格今年开始回升。叠加4月以来美国
关税政策引发的骨牌效应，推动了相关企业抢在关税生效前提前备
货，让三星产品需求大增，促使该公司调涨价格。
台积电2025年将新建9座工厂，3nm产能将增加60%。5月15日，
据台媒《经济日报》报道，台积电院士、营运/先进技术暨光罩工程副
总经理张宗生于5月15日在台积电技术论坛中国台湾专场上提到，台
积电2025年将在中国台湾与海外扩建9个厂，其中包含8个晶圆厂以
及1个先进封装厂。张宗生指出，2025年3nm产能预计年增加60%，
2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充，海外美国厂与日
本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI驱动晶圆需求
持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与
海外扩建9个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去
平均每年盖5个厂，中国台湾方面台中Fab25厂预计2028年量产
2nm与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技
术。
行业:电子
日期:
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SAC编号:S0870523060002