【行业研究报告】电子设备-先进封装系列报告之设备：传统工艺升级&先进技术增量，争设备之滔滔不绝

核心观点
u尖端先进封装需求持续增长，AI相关仍为主要驱动。得益于生成式人工智能和高性能计算（HPC）这两大长期趋势有力推
动，叠加移动和消费市场回暖以及汽车先进封装解决方案的拓展，将为先进封装市场规模增长注入动力。先进封装技术也沿
着多元化方向发展，2.5D/3D封装成为AI芯片的核心封装方案；系统级封装（SiP）通过微型化集成技术，在可穿戴设备、
着多元化方向发展，2.5D/3D封装成为AI芯片的核心封装方案；系统级封装（SiP）通过微型化集成技术，在可穿戴设备、
AR/VR领域占据优势；扇出型封装（FOPLP）加速布局，以更低成本和更大灵活性满足5G与消费电子需求；混合键合技术
作为下一代高密度集成的关键，各个头部厂家等正推动其量产进程。根据Yole预测，全球先进封装市场规模将从2023年的
378亿美元增至2029年的695亿美元。这一增长主要得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的极致需求，以及数
据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的迫切需要。
u凸块/重布线层/硅通孔/混合键合构建先进封装基底。（1）Bump：朝着更小节距、更小直径方向不断发展。目前，三维系
统封装技术中微凸点互连是关键技术，其是利用在芯片上制备可润湿的微凸点，与基板上的区域对准，并通过微互连工艺使
其连接，实现最短的电连接通路，从而大幅度提高封装密度。（2）RDL：改变IC线路接点位置。根据未来半导体披露，头
部厂商封装业务RDLL/S（线宽和线间距）将从2023/2024年的2/2μm发展到2025/2026的1/1μm，再跨入到2027年后的
0.5/0.5μm。（3）硅通孔：在硅片上垂直穿孔并填充导电材料，实现芯片间立体互连。在2.5D封装中TSV充当多颗裸片和电
路板之间桥梁，其中CoWoS为2.5D封装中最突出代表，在3D中TSV用于堆叠，HBM为3D封装最典型应用。（4）混合键合：
利用范德华力实现，不需额外施加能量键合。混合键合通过金属（例如，铜）和氧化物键合的组合来连接芯片。其主要优点
在于减少凸块间距和接触间距，从而增加相同区域内的连接密度。这反过来又可以实现更快的传输速度并降低功耗。