【行业研究报告】电子设备-AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期

行业核心观点：
存储市场规模较大，有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期：据CFM闪
存市场数据显示，2025Q3全球存储市场规模创造季度历史新高，且已
连续两个季度增长，其中DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美
元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元。当前存储芯片有
望迎来以AI驱动的新一轮景气周期，需求拉动力更强、存储技术迭代
进一步加速、供给端产能调控策略升级，同时短期供给端新增产能有限，
供需缺口有望维持，本轮存储行业涨价持续性或更强。
供需缺口有望维持，本轮存储行业涨价持续性或更强。
投资要点：
⚫服务器存储受益于云厂商资本开支加速，端侧存储有望持续扩容：全球
八大核心云端服务提供商2025年以来均加大资本投入以响应AI数据
中心与云端运算的旺盛需求，根据TrendForce集邦咨询预测，2025年
全球八大云厂商资本支出总额年增率预计为65%，并预期2026年行业
仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破6000亿美元，年增率达
40%。资本支出的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温，进而拉动
存储器等上游供应链需求。在存储器下游应用中，服务器存储占比有望
进一步提升，NAND领域，算力中心积极应用超高容量eSSD提升性能、
降低能耗；DRAM方面，随着支持DDR5的处理器平台渗透率提升、搭载
AI加速芯片的AI服务器出货放量，服务器DDR5及HBM需求快速增长。
同时，2024-2025年全球手机及PC出货量持稳，AI手机、AIPC等智能
终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容。
⚫技术创新驱动存储市场成长,供给端调控产能致DDR4等供不应求：HBM、
DDR5引领高端DRAM市场，其中HBM技术持续迭代，存储容量与带宽不
断提升，主流AI加速卡多数采用HBM配置方案，有望推动HBM市场规
模稳步增长；DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。
NAND市场方面，QLCNAND技术逐步成熟，兼顾大容量、低功耗、高性
能的QLCSSD成为企业级存储新星，渗透率有望提升。为应对AI算力
旺盛需求，存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节，减产或停供DDR4
等传统产品，使相关产品价格大幅上扬。
⚫存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎来
发展机遇：全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK海
力士、美光等厂商稳居前列。国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现
DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产NAND
Flash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。AI
驱动、技术创新叠加供需格局变化，国内存储厂商、模组厂商有望充分
受益于存储新一轮景气周期。此外，存储景气周期有望推动存储厂商提
升资本开支，上游半导体设备有望受益。
行业相对沪深300指数表现
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