【行业研究报告】北方华创-国产替代持续加速，平台化发展效果显著

国产替代持续加速，平台化发展效果显著
l投资要点
预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。
受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求
激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过
1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到
1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到
1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增
长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球
300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全
球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以
1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间
以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来
三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关
领域预计将在未来三年间投资270亿美元。
晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，
推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，
已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及
以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临
严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关
键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技
术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）
将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工
艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”
栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复
杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，
刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上
升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。薄膜沉积
设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着
芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的
缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电
阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问
题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆
减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战
不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行
彻底改造。
全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。
当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI算
力需求与终端设备升级为核心驱动力。从HBM以3D堆叠技术突破
带宽瓶颈、成为AI芯片标配，到CXL通过架构重构破解“内存
发布时间：2025-12-11