图表内容
图表33.：PrC升级TOPCon工艺流程LPCVD/PECVD所需步聚
LPCVD/PECVD原位找杂+思火
PERC
制绒
磷扩
刻蚀/抛光
热氧
TOPCon
(磷扩)
刻蚀
LPCVD
PERC
正面SixNy
LCO
丝印&烧结
TOPCon
(磷扩)
正面A1203/SixNy
背面SixNy
丝印&烧结
PrC升级TOPCon工艺流程LPCVD/PECVD所需步聚
研究报告节选:
激光硼掺杂是 TOPCon 核心技术，助力其转换效率提升，相关设备需求有望受益。TOPCon 电池与 PERC 电池工艺相似度较高，与现有传统的 P 型电池设备制程相比，TOPCon 电池的生产流程只需增加硼扩和薄膜沉积设备，无须背面开孔和对准，其中薄膜沉积的技术路径又可以分为 LPCVD/PECVD/CVD 三种，但从各种沉积路径选择看，硼扩设备是 Perc 向 TOPCon 进行升级改造的必选设备。通过激光掺杂技术实现硼的扩散，该技术可应用于 TOPCon 电池前结，形成选择性硼扩散，提高电池转换效率，也可用于PERC 电池背面，实现局部硼扩散，形成 P+，改善接触，提高效率，理论上硼掺杂能够帮助 TOPCon 电池提升 0.5%的效率。但技术从难度上看，扩硼要远远难于扩磷，尽管硼扩与磷扩工艺相似度极高，且设备均以扩散炉为主，但由于硼在硅中的固溶度较低，导致硼扩相较常规的磷扩较难，实际硼扩散的温度需要达到 900-1100℃，掺杂难度更高，在推进时需求更高的能量，因此当使用激光掺杂时，需要采用功率更高的激光器。目前市场中存在两种主流硼掺杂技术路径，即一次硼扩技术和以捷佳伟创和二次硼扩技术。预计随着 TOPCon 电池扩产逐步加速，作为其核心设备的激光硼掺杂设备需求有望持续受益。最后更新: 2022-06-13
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图表33.：PrC升级TOPCon工艺流程LPCVD/PECVD所需步聚
LPCVD/PECVD原位找杂+思火
PERC
制绒
磷扩
刻蚀/抛光
热氧
TOPCon
(磷扩)
刻蚀
LPCVD
PERC
正面SixNy
LCO
丝印&烧结
TOPCon
(磷扩)
正面A1203/SixNy
背面SixNy
丝印&烧结
