太阳能级多晶硅国家标准技术要求(单位:10^-9ppba,atoms/cm3,μs,ng/g,cm)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

太阳能级多晶硅国家标准技术要求(单位:10^-9ppba,atoms/cm3,μs,ng/g,cm)

研究报告节选:

(2)资金密集性:多晶硅产线偏重资产,扩产周期相对较长。以改良西门子法为例,多晶硅生产初始设备投资要求较高,根据 CPIA 统计,2021 年万吨级多晶硅生产线设备投资成本约 10.3 亿元/万吨。产线的重资产属性同时导致了较长的扩产周期,从投资建设到调试完毕并量产,建设周期约 12-18 个月,产能爬坡周期约 3-6 个月,明显长于下游环节 6-8 个月的建设周期与 1-2 个月的爬坡周期,产能调整灵活度相对较低且易形成产业链扩产节奏的错配。
最后更新: 2022-06-20

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图表内容


表3:太阳能级多晶硅国家标准技术要求(单位:10^-9ppba
atoms/cm3
μs
ng/g
cm)
太阳能级多晶硅技术指标
技术指标
项目
特级品
1级品
2级品
3级品
施主杂质浓度(10-9ppba)
≤0.68
≤1.40
≤2.61
≤6.16
受主杂质浓度(10^-9ppba)
≤0.26
≤0.54
≤0.88
≤2.66
氧浓度(atoms/cmA3)
<0.2X10^17
≤0.5X1017
≤1.0X10^17
≤1.0X1017
碳浓度(atoms//cm3)
≤2.0X10^16
≤2.5X1016
≤3.0X10^16
≤4.0X10^16
少数载流子寿命(μs)
≥300
≥200
≥100
≥50
基体金属杂质含量-Fe、Cr、Ni、Cu、Zn(ngg)
≤15
≤50
≤100
≤100
表面金属杂质含量-Fe、Cr
Ni、Cu
Zn、Na(ngg)
≤30
≤100
≤100
≤100
基磷检验电阻率(2·cm)
≥200
≥100
≥50
≥25
基硼检验电阻率(2·cm)
≥1000
≥500
≥300
≥100
注:1、基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析,由供需双方协商解决。
2、每个等级的产品应该同时满足本等级的要求,若某项超出指标,则降为下一级。
3、3级品主要应用于多晶硅锭的生产」
资料来源:《国家标准GBT25074-2017》,浙商证券研究所