硅基氨化镓频射技术发展阶段-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

硅基氨化镓频射技术发展阶段

研究报告节选:

表 10:应用于 PD 快充的 GaN 芯片 公司 英诺赛科 东科半导体 Navitas Transphorm GaN system s 资料来源:CASA Research,安信证券研究中心
最后更新: 2022-07-28

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三安光电 | 安信证券 | 2022-07-27 | 41个图表

图表内容


表11:硅基氨化镓频射技术发展阶段
时间
目标
面向sub-6GH忆、26GH忆和39G忆频段的5G通信应用的Si-on-GaN的射频功率放大器,技
2020-2022
术成熟和进行量产;面向车载雷达、物联网等5G通信系统应用和后5G通信系统应用的E、W频
段的Si-on-GaN的功率放大器进行研发;8英寸Sion-GaN的射频技术开始量产
面向车载雷达、物联网等5G通信系统应用和后5G道信系统应用的E、W频段的Si-on-GN
2023-2025
的功率放大器,进行量产;面向后5G道信系统应用的F、G频段的Sio-GN的功率放大器进
行研发
面向后5G通信系统应用的F、G领段的Sron-GaN功率放大器进行量产;面向6G道信系统
2026-2030
应用的R领较和Si-On-GaN的功率放大器进行研发
资料来源:CASA Research
安信证泰研究中心