图表内容
图表5PVD/CVD与ALD的工艺对比
项目
PVD
CVD
ALD
1.沉积速率较快
1.沉积速率一般（微米/分钟）
1.沉积速率较慢（纳米/分钟）
2.薄膜厚度较厚，对于纳
优势
2.中等的薄膜厚度（依赖于反应循环
2.原子层级的薄膜厚度
米级的膜厚精度控制差
与劣
次数)
3.大面积薄膜厚度均匀性好
3.镀膜具有单一方向性
3.镀膜具有单一方向性
4.阶梯覆盖率最好
4.厚度均匀性差
4.阶梯覆盖率一般
5.薄膜致密无针孔
5.阶梯覆盖率差
PVD/CVD与ALD的工艺对比
研究报告节选:
薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为 PVD、CVD 和 ALD 设备。相比于 ALD技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。最后更新: 2023-01-20
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图表5PVD/CVD与ALD的工艺对比
项目
PVD
CVD
ALD
1.沉积速率较快
1.沉积速率一般（微米/分钟）
1.沉积速率较慢（纳米/分钟）
2.薄膜厚度较厚，对于纳
优势
2.中等的薄膜厚度（依赖于反应循环
2.原子层级的薄膜厚度
米级的膜厚精度控制差
与劣
次数)
3.大面积薄膜厚度均匀性好
3.镀膜具有单一方向性
3.镀膜具有单一方向性
4.阶梯覆盖率最好
4.厚度均匀性差
4.阶梯覆盖率一般
5.薄膜致密无针孔
5.阶梯覆盖率差
