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TOPC0n背面膜其他制备方法存在的问题-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

TOPC0n背面膜其他制备方法存在的问题

研究报告节选:

公司开发的 PEALD 二合一平台，集成了 PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层和多晶硅层，能够弥补 LPCVD 存在的不足。在氧化硅隧穿层的制备中，目前较常见的有高温热氧化法、等离子体氧化法和 PEALD 技术。高温热氧化法、等离子体氧化法在实践中也均存在问题。公司开发出了 ZR5000×2PEALD“二合一”产品，创新性的将 ALD 技术应用于氧化硅层的制备，能够连续完成 TOPCon 电池的背膜结构（隧穿氧化硅/原位掺杂多晶硅）镀膜。跟上述氧化法相比，采用 ALD 技术可以获得超薄（＜2nm）、大面积均匀性、致密性好、无针孔的氧化硅层。
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最后更新: 2023-01-20

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微导纳米 | 华安证券 | 2023-01-20 | 62个图表

图表内容

图表31TOPC0n背面膜其他制备方法存在的问题
制备方法
工艺流程
存在问题
LPCVD
隧穿层和多晶硅层
绕镀严重、成膜速率低、需二次掺杂过程繁琐、后期运营成本高
能获得高质量的氧化硅层、较低的界面缺陷态密度，但存在大尺寸硅片
高温热氧化法
氧化硅隧穿层
下容易受热不均匀、成膜反应速度慢等问题
采用等离子体轰击NO使其解离产生游离O从而氧化硅片表面，该方法
等离子体氧化法
氧化硅隧穿层
生长的氧化硅厚度较厚，对于1-3m的厚度，该方法难以控制厚度
资料来源：招股说明书，华安证券研究所

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