图表内容
图表60公司存储芯片领域应用产品和研发项目情况（截至2022年11月2日）
产品系列
设备类型
镀膜工艺
目前应用领域
产业化阶段
HfO2工艺
存储芯片一高k栅电
风凰(P)系列原
ZrO2工艺
容介质层（单元和多元
产业化验证
子层沉积镀膜系
TALD
La203工艺
掺杂介质层)》
存储芯片—高k栅介
TiO2工艺
产业化验证
质覆盖层
名称
拟达到的目标
应用领城
所处阶段
尖端存储器制造
研发工艺用高生产率配置ALD系统，采用新ALD循环掺杂比
关键低温工艺及
例的技术，将多元系氧化物的组成比控制在个别应用领域元件
开发实现阶段
半导体等领域
装备的研究与产
所需的组合比，提供了解决目前铁电存储器(FeRAM)和铁电
业化
场效应晶体管(FeFET)器件制造方案
资料来源：公司招股说明书，华安证券研究所整理
