图表内容
表12：全球主要提供Chiplet封装厂商解决方案汇总
公司
平台方策
主要特点
目前公司可支持工艺节点
晶圆级TSV
利用次微米级interposer以TSV将多芯片整合于单
7nm量产，5nm完成研发即
通富微电
VISionS
一封装
将量产
以2.5D无TSV为基本技术平台，具备成本优势，可实现
长电科技
XDFOI
4nm
2D/2.5D/3D集成
将2.5D/3D先进封装相关技术整合为3 DFabric平台；前段技术
3 SolC利用芯片间直接铜键合，具有更小间距；后段技术2.5D
台积电
3DFabric
方面，CoWos扩展至三种不同转接板技术，lnFO将封装凸块直接
连接到再分配层
芯片互连方面使用成熟TSV工艺，目前能够将SRAM芯片堆叠在
X Cube
三星生产的7 nm EUV工艺的逻辑芯片上
三星
将一个或多个逻辑die和多个HBM die水平放置在硅中介层进行
I Cube
异构集成，支持增强热管理及稳定的电源供应
扇出封装FC排列于BGA上，具备RDL允许在多个芯片之间构建
日月光
FOCoS
更短的die-to-die互连，能够实现封装内部多个chiplet互联
资料来源：各公司官网、公告等，信达证券研发中心整理
