图表内容
图表34.直写光刻技术光刻精度低于投影式光刻
基片
基片
直写光刻
接近接触式光刻
光学投影式光刻
资料来源：芯基微装招股说明书，东亚前海证券研究所
直写光刻技术光刻精度低于投影式光刻
研究报告节选:
2） IC、FPD 掩膜版制版：直写光刻技术采用计算机直接成像，图形修改简单且制作周期短，是主流的掩膜版制版技术。由于激光直写光刻的光刻精度低于电子束直写光刻，更多用于中低端掩膜制版；最后更新: 2023-03-17
相关行业研究图表
铜电镀工艺基本工序（以HJT电池为例)
2017-2021年GAGR=117.24%
浆料成本占HJT电池单瓦非硅成本的46%
公司加大对PCB阻焊、IC载板及类载板等细分领域的项目投入
2018-2022年营收GAGR=65.52%
2021年IC载板及类载板设备营收1.07亿元
图表34.直写光刻技术光刻精度低于投影式光刻
基片
基片
直写光刻
接近接触式光刻
光学投影式光刻
资料来源：芯基微装招股说明书，东亚前海证券研究所
