图表内容
表49.铜电镀工艺基本工序（以HJT电池为例)
清洗制钱
PVD镀种子层
目前技术差异点
双面PECVD镀a-Si膜(p/i/n)
喷涂感光胶层
制备介质层
双面PVD镀TCO膜
澈光开槽图形化
烧结
去感光胶
光再生
PVD镀焊接层
测试
件来源：《2020年中国光伏技术发展报告一品体生太阳电池研究选展》，东亚前海证券研究所
铜电镀工艺基本工序（以HJT电池为例)
研究报告节选:
目前光刻是掩膜图形化的主流路线，但在光伏领域有采用激光开槽技术进行掩膜图形化的示例。直写光刻技术在 PCB 和泛半导体领域已有较长的 使 用 历 史 ， 工 艺 较 为 成 熟 。 而 在 光 伏 领 域 ， 根 据 爱 旭 股 份 专 利（CN114551610A），其采用了激光开槽技术在一种背接触电池中进行电镀铜环节的掩膜图形化。我们认为激光开槽相比光刻技术的主要优点是工序简洁、设备投资额小，更适用于 TOPCon、IBC 等自带介质层的电池结构。而 HJT 电池由于表面为透明导电薄膜 TCO 层，若采用激光开槽技术需再制备一层介质层，且激光开槽技术易对电池表面造成损伤。因此相比之下光刻技术在 HJT 电池中或有更好的应用前景。最后更新: 2023-03-17
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表49.铜电镀工艺基本工序（以HJT电池为例)
清洗制钱
PVD镀种子层
目前技术差异点
双面PECVD镀a-Si膜(p/i/n)
喷涂感光胶层
制备介质层
双面PVD镀TCO膜
澈光开槽图形化
烧结
去感光胶
光再生
PVD镀焊接层
测试
件来源：《2020年中国光伏技术发展报告一品体生太阳电池研究选展》，东亚前海证券研究所
