图表内容
图表51.公司拟对关键子系统/零部件进行自主研发，实现自主替代及降低成本
预计降本水平
名称
与进口子系统/零部件的差距
预计自主替代程度
PCB
泛半导体
平台控制方面无二维扫描位置补
高精度运动平
满足130nm、90nm制程需求，提升
偿功能，且重复性相对较弱：平
20-30%
30%
高端直写掩膜版制版能力
台稳定性相对较弱
提升405nm紫外激光器产能：研制
稳定性控制方面/激光器出光口
百瓦级激光器：开发高功率
先进激光光源
50%
60%
功率密度弱于进口产品
405/425nm混合光源、405/375nm混
合光源、248/193nm准分子激光器
镜头的热性能稳定性相对较差：
拟突破一系列关键技术，实现超大
超大幅面高解
镜头的一次曝光尺寸相对较小，
幅面高解析度曝光引擎的稳定量产
20%
40%
析度曝光引擎
在同等加工精度要求下产能较低
与应用
自动化洁净度尚未达到100级及
以上要求；自动线节拍和取放片
高稳定性全自
进一步提升性能、稳定性，满足产
的速度较慢；MTBF较短，需进
30%
动化线配套
能增加需求
一步提升：智能化有待提升，不
同基板自适应能力相对较差
存在靶标识别问题，需要较多人
智能化直写光
研发高精度快速的靶标检测算法、
工调试；在设备运行趋势判断、
刻系统
安全检测算法以及智能客服系统等
运行数据分析等方面有待加强
半导体设备前
针对硬件设计、电控系统、零部件
目前均为进口，公司仅具有应用
端系统模组
进行国内供应商开发；软件控制系
30-40%
经验
(EFEM)
统进行开发、系统集成和调试等
